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NTD4804N, NVD4804N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
6000
5000
4000
C iss
T J = 25 ° C
C iss
5
4
3
Q 1
Q T
Q 2
3000
2000
C rss
2
1000
0
15
10
V DS = 0 V
5
V GS
0
V GS = 0 V
5
V DS
10
15
20
C oss
C rss
25
30
1
0
0
5
10 15 20
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
I D = 30 A
T J = 25 ° C
25
30
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t r
t d(off)
t f
t d(on)
30
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1000
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
10 m s
100 m s
500
400
300
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 30 A
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
200
100
1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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